BSC079N03LSC G

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP

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美国加州
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规格书
包装	8TDSON EP
通道模式	Enhancement
最大漏源电压	30 V
最大连续漏极电流	14 A
RDS -于	7.9@10V mOhm
最大门源电压	±20 V
典型导通延迟时间	3 ns
典型上升时间	2.4 ns
典型关闭延迟时间	14 ns
工作温度	-55 to 150 °C
安装	Surface Mount
工厂包装数量	5000
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single Quad Drain Triple Source
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	14 A
系列	BSC079N03
安装风格	SMD/SMT
RDS（ON）	7.9 mOhms
封装	Reel
功率耗散	2.5 W
最低工作温度	- 55 C
封装/外壳	TDSON
零件号别名	BSC079N03LSCGATMA1 SP000527424
上升时间	2.4 ns
最高工作温度	+ 150 C
漏源击穿电压	30 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	2.4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
宽度	5.15 mm
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
品牌	Infineon Technologies
通道数	1 Channel
晶体管类型	1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current	14 A
长度	5.9 mm
Rds On - Drain-Source Resistance	7.9 mOhms
身高	1.27 mm
Pd - Power Dissipation	2.5 W
技术	Si

型号	厂家	产品描述
BSC079N03LSCGATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP
BSC079N03S G	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 14.6A
BSC079N03SGT	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 30V 14.6A 8-Pin TDSON EP T/R
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BSC079N10NSG	infineon technologies	Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON
BSC079N10NSGATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A 8-Pin TDSON EP

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